Œ^–¼ ŽÐ–¼ —p“r \‘¢ Å‘å’èŠi Max. Ratings (Ta=25ßC) “d‹C“I“Á« Elec. Character. (Ta=25ßC) ŠOŒ` ”õl
Mnf. App. Type VCBO VEBO Ic Pc Tj ’¼—¬–”‚̓pƒ‹ƒXhFE fab/ft* Cob Pac. Dim. No.
(V) (V) (mA) (mW) (ßC) VCE(V) Ic(mA) (MHz) (pF)
2SC801 “ú“d RF.PA Si.TMe 75 5 500 13W(Tc=25ßC) 175 50 10 150 100* 32 83
2SC802 •xŽm’Ê PA.SW Si.EP 60 4 500 1W(Tc=25ßC) 175 30 4 150 180* 5 84B
2SC803 •xŽm’Ê PA.SW Si.TP 60 4 1.5A 5W(Tc=25ßC) 175 70 4 400 90* 9 84B
2SC804 ƒ\ƒj[ RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 15 20 150 100 50 3 1 0.32 139
2SC805 ƒ\ƒj[ RF.AF.SW Si.DB 100 5 200 475 120 100 5 3 160* 3 181
2SC805A ƒ\ƒj[ PA.SW Si.EPa 240 5 200 750 175 150 5 3 2.4 181 2SA923‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC806 ƒ\ƒj[ PA Si.TMe 650 10 10A 125W(Tc=25ßC) 150 30 3 2A 5* 280 102
2SC806A ƒ\ƒj[ PA Si.TMe 700 10.5 10A 125W(Tc=25ßC) 150 40 3 2A 5.5* 285 102
2SC807 ƒ\ƒj[ PA Si.TMe 500 10 10A 125W(Tc=25ßC) 150 50 3 100 5* 300 102
2SC807A ƒ\ƒj[ PA Si.TMe 580 8 10 125W(Tc=25ßC) 150 60 3 0.1 5.5* 285
2SC808 ƒ\ƒj[ PA Si.TMe 300 8 5A 80W(Tc=25ßC) 150 100 3 2A 12* 310 102
2SC809 •xŽm’Ê RF Si.EP 25 3 20 200 150 1200* 1.4 50C
2SC810 •xŽm’Ê RF.PA Si.EP 40 3 300 500 150 750* 3.8 85B
2SC811 •xŽm’Ê RF Si.EP 4 30 180 175 60 10 2 800* 0.9 50C
2SC812 •xŽm’Ê SW Si.EP 20 4 100 250 150 50 1 10 2.5 49C
2SC814 “ú“d RF.PA Si.E 30 5 500 400 125 150 5 50 180* 13 44
2SC815 “ú“d RF.Osc.PA Si.E 60 5 200 250 125 80 1 50 200* 5.5 138 2SA539‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC816 ŽO•H RF Si.EP 60 1A 1W 200 100 6 0.1 140* 12 84B
2SC817 ŽO•H RF Si.EP 30 20 120 150 80 10 1 50C
2SC818 ŽO•H RF Si.TP 160 5 100 800 200 20-180 10 10 100* 4.5 84A
2SC819 “ú—§ PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc=25ßC) 175 500* 7.5 84C
2SC820 “ú—§ PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25ßC) 175 500* 7.5 111 ƒXƒ^ƒbƒh‚̓Cƒ“ƒ`ƒlƒW
2SC821 ¼‰º RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 300 2.5W(Tc=25ßC) 175 450* 6.5 84B
2SC822 ¼‰º RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 500 2.5W(Tc=25ßC) 175 550* 6.5 84B
2SC823 “ú“d RF Si.E 30 3 60 600 150 >30 10 15 1500* 0.9 85B
2SC824 “ú“d RF Si.E 50 3 120 650 150 >20 10 30 1300* 2.2 85B
2SC825 •xŽm’Ê SW Si.T 300 6 2A 30W(Tc=25ßC) 175 75 10 0.5A 99
2SC826 •xŽm’Ê RF Si.TMe 100 6 300 700 175 100 4 50 20* 10 84B
2SC827 •xŽm’Ê RF.SW Si.TMe 100 6 500 700 175 100 4 50 20* 10 84B
2SC828 ¼‰º RF.AF Si.EP 30 7 50 400 150 130-520 5 2 220* 2.2 138 2SA564‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC828A ¼‰º RF.AF Si.EP 45 7 50 400 150 130-520 5 2 220* 2.2 138 2SC564A‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC829 ¼‰º RF.Conv.Mix.Osc " 30 5 30 400¤ 150 70-250 10 1 230* 1.3 138
2SC830 “ú—§ PA Si.T 100 4 3A 25W(Tc=25ßC) 150 30-200 4 1A 6* 120 153 2SB551‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC831 “ú“d PA Si.E 50 4 2A 23W(Tc=25ßC) 175 15-200 10 1A 500* 18 111
2SC833 “ú—§.“ŒŽÅ.ŽO—m SW Si.TMe 450 6 2A 25W(Tc=25ßC) 150 80 10 100 50 99
2SC836 “ú“d RF Si 30 4 20 200 125 70 10 4 600* 0.9 138 ƒtƒHƒ[ƒhAGC
2SC837 “ú“d RF Si.E 30 4 20 250 125 40 10 10 550* 1.6 138
2SC838 “ú“d RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 5 30 250 125 80 3 0.5 250* 1.8 138
2SC839 “ú“d RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 5 50 250 125 100 3 0.5 250* 2 138
2SC840 ¼‰º PA Si.TMe 100 5 2A 20W(Tc=25ßC) 150 60 3 1A 50* 90 99
2SC840A ¼‰º RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 150 5 2A 20W(Tc=25ßC) 150 60 3 1A 50* 90 99
2SC841 •xŽm’Ê PA Si.EP 36 500 6W(Tc=25ßC) 175 50 4 500 450* 12 84B
2SC842 •xŽm’Ê PA Si.EP 36 1A 10W(Tc=25ßC) 175 40 4 1A 450* 13 111
2SC843 •xŽm’Ê PA Si.EP 36 2A 20W(Tc=25ßC) 175 50 4 2A 350* 25 111
2SC844 •xŽm’Ê PA Si.EP 40 2 400 3.5W(Tc=25ßC) 175 25 5 100 800* 3 84B
2SC845 •xŽm’Ê PA Si.EP 55 3.5 400 3.5W(Tc=25ßC) 175 25 5 100 800* 3 84B
2SC847 •xŽm’Ê RF Si.EP 30 5 200 350 175 160 4 10 70* 10 49C
2SC848 •xŽm’Ê RF.LN Si.EP 30 5 200 350 175 160 4 10 60* 10 49C
2SC849 •xŽm’Ê SW.AF Si.EP 30 5 300 350 175 160 4 10 49C
2SC850 •xŽm’Ê SW.PA Si.EP 50 7 500 350 175 160 4 10 70* 49C
2SC851 “ú“d PA Si.E 50 5 8A 75W(Tc=25ßC) 200 50 5 5A 102A
2SC852 “ú“d RF Si.E 45 3 80 500 150 100 6 20 1100* 2 85B
2SC853 “ú“d RF.PA Si.E 70 5 200 400 125 70 2 150 90* 7.5 44 2SA545‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC854 •xŽm’Ê PA Si.EP 40 2 300 2.5W(Tc=25ßC) 175 25 5 100 800* 2.5 84B
2SC855 •xŽm’Ê PA Si.EP 40 2 400 3W(Tc=25ßC) 175 25 5 100 800* 2.5 84B
2SC856 “ú—§ RF Si.TPa 150 5 50 300 175 50 6 10 150* 2.5 12A
2SC857 “ú—§ SW.RF Si.TMe 200 5 50 200 175 80 6 10 100* 3 12A
2SC858 ŽO—m RF.LN Si.P 20 50 100 125 230 6 1 140* 4 27
2SC859 ŽO—m RF.LN Si.P 20 50 100 125 230 6 1 140* 4 27
2SC860 ŽO—m RF Si.EP 15 3 30 80 125 80 6 1 700* 1.5 205C
2SC861 “ú—§ PA Si.TMe 450 6 1A 50W(Tc=25ßC) 150 50 5 200 7* 140 102
2SC862 “ú—§ PA Si.TMe 650 6 5A 50W(Tc=25ßC) 150 9 2 3.5A 7* 140 102
2SC863 “ŒŽÅ RF Si.EP 60 4 25 175 150 600* 1.5 117C
2SC864 “ŒŽÅ RF Si.EP 40 4 25 175 150 600* 1.5 117C
2SC865 •xŽm’Ê PA Si.TP 60 2A 20W(Tc=25ßC) 175 70 4 1A 83
2SC866 •xŽm’Ê PA Si.TP 60 1.5A 5W(Tc=25ßC) 175 70 4 400 97B
2SC867 ƒ\ƒj[ PA.SW Si.TMe 400 10 1A 23W(Tc=25ßC) 150 80 3 100 8* 120 100
2SC867A ƒ\ƒj[ RF.PA Si.TMe 520 10 3A 48W(Tc=25ßC) 150 80 3 100 8.5* 90 100
2SC868 ŽO•H SW Si.EP 130 5 30 200 125 90 6 1 138B
2SC869 ŽO•H SW Si.EP 160 5 30 200 125 90 6 1 138B
2SC870 ŽO•H RF.AF.LN Si.EP 30 4 30 200 125 160 6 0.1 150* 2.5 138B
2SC871 ŽO•H RF.AF.LN Si.EP 30 4 30 200 125 250 6 0.1 150* 2.5 138B
2SC872 •xŽm’Ê PA Si.EP 40 400 3.5W(Tc=25ßC) 175 25 5 100 800* 3 84C
2SC873 ŽO—m 75 4 1A 500 150 60 6 50 200* 84B 2SA535.2SA536‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC874 ŽO—m 50 4 1A 500 150 60 6 50 200* 84B 2SA535.2SA536‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC875 ŽO—m RF.PA Si.TP 75 5 200 500 150 100 6 50 170* 5 84B
2SC876 ŽO—m RF.PA Si.TP 50 5 200 500 150 100 6 50 170* 5 84B
2SC877 “ŒŒõ SW Si.EP 40 4.5 200 300 175 60 1 10 49C
2SC878 “ŒŒõ SW Si.EP 40 4.5 200 300 175 70 1 10 49C
2SC879 “ŒŒõ SW Si.EP 60 5 1A 800 175 80 1 100 84B
2SC880 “ŒŒõ SW Si.EP 60 5 1A 800 175 80 1 100 84B
2SC881 “ú“d RF.PA Si.E 60 5 200 400 125 70 2 150 200* 5.5 44
2SC882 ŽÅ“d RF.Conv.Osc Si.EP 150 5 2A 25W(Tc=25ßC) 150 30* 45 102
2SC883 ŽÅ“d RF.Conv.Osc Si.EP 90 5 2A 25W(Tc=25ßC) 150 30* 45 102
2SC884 ŽÅ“d PA Si.TMe 80 5 2A 15W(Tc=25ßC) 150 60 5 500 30* 45 99
2SC885 ŽÅ“d SW Si.TMe 330 5 7A 50W(Tc=25ßC) 150 35 5 1A 102
2SC886 ŽÅ“d SW Si.TMe 270 5 7A 50W(Tc=25ßC) 150 35 5 1A 102
2SC887 ŽÅ“d SW Si.TMe 210 5 7A 50W(Tc=25ßC) 150 35 5 1A 102
2SC888 ŽÅ“d SW Si.TMe 150 5 7A 50W(Tc=25ßC) 150 35 5 1A 102
2SC889 ŽO•H RF.AF.LN Si.EP 90 5 7A 50W(Tc=25ßC) 150 35 5 1A 102
2SC890 “ú“d PA Si.E 40 3 400 750 175 >20 10 100 84C
2SC891 “ú“d PA Si.E 40 4 600 10.3W(Tc=25ßC) 175 >15 10 500 115
2SC892 “ú“d PA Si.E 40 4 1.2A 17.7W(Tc=25ßC) 175 115
2SC893 •xŽm’Ê RF Si.TMe 100 6 500 12W(Tc=25ßC) 175 100 4 50 20* 10 97B
2SC894 ƒ\ƒj[ RF.SW Si.DB 25 6 100 100 120 100 3 1 200* 2.4 38
2SC895 ƒ\ƒj[ PA.SW Si.TMe 150 8 2.5A 23.7W 150 120 3 100 20* 145 102
(Tc=25ßC)
2SC896 “ú“d RF Si.E 55 5 200 300 175 200* 3.5 46C
2SC897 “ú—§ PA Si.T 150 6 7A 60W(Tc-25'C) 150 60 5 1A 15* 140 102 2SA757‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC898 “ú—§ PA Si.T 150 5 7A 80W(Tc-25'C) 150 50 5 1A 15* 140 102 2SA758‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC899 “ú“d RF.AF.LN Si.E 50 5 50 250 125 110 3 0.5 250* 1.8 138
2SC900 “ú“d RF.LN Si.E 30 5 30 250 125 400 3 0.5 100* 3.5 138